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龙图腾网获悉天津伍嘉联创科技发展股份有限公司申请的专利一种基于电极特征的晶体角度识别方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120543891B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511038744.7，技术领域涉及：G06V10/75；该发明授权一种基于电极特征的晶体角度识别方法是由袁东秀;范境烨;付廷喜设计研发完成，并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于电极特征的晶体角度识别方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体角度识别技术领域，尤其涉及一种基于电极特征的晶体角度识别方法，包括如下步骤：生成多模态特征模板，将原始晶体图像中晶体目标与多模态特征模板进行匹配，输出匹配结果；建立偏移基准；基于偏移基准，对优化调整后的Blob分析的感兴趣区域的像素点位置进行动态修正，对修正后的Blob分析的感兴趣区域内的原始晶体图像进行首次Blob分析，获取晶体电极的二值化图像；对晶体电极的二值化图像进行自适应多尺度形态学增强与特征强化，得到增强后的晶体电极图像；对增强后的晶体电极图像进行二次Blob分析，提取角度特征，完成基于电极特征的晶体角度的识别。本发明提供的方法能够对晶体角度进行准确快速地识别。

本发明授权一种基于电极特征的晶体角度识别方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电极特征的晶体角度识别方法，特征在于：包括如下步骤： S1：获取原始晶体图像并生成匹配掩膜图像及屏蔽掩膜图像，合并匹配掩膜图像及屏蔽掩膜图像，生成多模态特征模板，将原始晶体图像中晶体目标与多模态特征模板进行匹配，并输出匹配结果； S2：根据匹配结果计算原始晶体图像中晶体目标区域相对于多模态特征模板的偏移角度及多模态特征模板位置坐标偏移量，建立偏移基准； S3：确定原始晶体图像Blob分析的感兴趣区域，并基于匹配掩膜图像及屏蔽掩膜图像对原始晶体图像Blob分析的感兴趣区域的尺寸进行优化调整，得到优化调整后的Blob分析的感兴趣区域，基于偏移基准，运用图像配准算法对优化调整后的Blob分析的感兴趣区域的像素点位置进行动态修正，得到修正后的Blob分析的感兴趣区域，对修正后的Blob分析的感兴趣区域内的原始晶体图像进行首次Blob分析，获取晶体电极的二值化图像，提取电极特征； S4：对晶体电极的二值化图像进行自适应多尺度形态学增强与特征强化，得到增强后的晶体电极图像； S5：对增强后的晶体电极图像进行二次Blob分析，提取角度特征，完成基于电极特征的晶体角度的识别。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津伍嘉联创科技发展股份有限公司，其通讯地址为：300450 天津市滨海新区滨海高新区塘沽海洋科技园新北路4668号创新创业园30-A号厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。