中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所朱江鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511056510.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用是由朱江鹏;徐俞;徐建喜;王亮;徐科设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用。所述生长方法包括：在异质衬底表面形成介质层和掩膜层，掩膜层具有第一窗口；对介质层进行过刻蚀形成第二窗口，第二窗口的宽度大于第一窗口；继续利用第一窗口对异质衬底进行等离子体处理形成转化区，转化区与第二窗口的边缘之间形成衬底暴露区；利用衬底暴露区进行异质外延生长。本发明可以利用非常大的掩膜窗口占空比极大程度上抑制位错延伸，此外还可以在获得极窄衬底暴露区的基础上控制剩余介质层的宽度不会过宽，有利于侧向合并，提高制备效率和异质外延层的品质，还可以降低对高精度光刻设备的需求，有利于异质外延技术的广泛应用。
本发明授权异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用在权利要求书中公布了：1.一种异质衬底外延生长方法，其特征在于，包括： 在异质衬底表面形成介质层和掩膜层，所述掩膜层具有第一窗口，所述第一窗口暴露出所述介质层的表面； 利用所述第一窗口对所述介质层进行过刻蚀，在所述介质层中形成第二窗口，所述第二窗口的宽度大于所述第一窗口，且所述第二窗口暴露出所述异质衬底的表面； 继续利用所述第一窗口对所述异质衬底进行等离子体处理，以使所述第一窗口的对应区域中的所述异质衬底的表面材质发生转化，形成转化区，所述转化区与所述第二窗口的边缘之间形成衬底暴露区； 去除所述掩膜层并利用所述衬底暴露区进行异质外延生长，得到异质外延层。
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