深圳市耀威镀膜科技有限公司郑葳获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市耀威镀膜科技有限公司申请的专利一种溅射沉积绝缘涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120555953B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511080785.2，技术领域涉及：C23C14/16；该发明授权一种溅射沉积绝缘涂层及其制备方法是由郑葳;宾妙;郝勇设计研发完成，并于2025-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种溅射沉积绝缘涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种溅射沉积绝缘涂层及其制备方法，属于绝缘涂层技术领域。本发明通过对金属基体进行电化学抛光，获得光滑平整且具有一定粗糙度的预处理金属基体，然后通过在预处理金属基体表面溅射沉积Cr‑Ce合金涂层，并控制Cr‑Ce合金涂层中Ce元素的质量分数，可以确保Cr‑Ce合金涂层和预处理金属基体之间具有较高的结合强度，并且可以使Cr‑Si‑C绝缘涂层在Cr‑Ce合金涂层表面具有良好的附着，进而提高绝缘涂层的使用寿命。本发明制备的溅射沉积绝缘涂层表现出良好的绝缘性能，并且绝缘涂层和不锈钢基底之间具有较大的结合强度。
本发明授权一种溅射沉积绝缘涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种溅射沉积绝缘涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将金属基体进行清洗、电化学抛光，得到预处理金属基体；然后在预处理金属基体表面溅射沉积Cr-Ce合金涂层，Cr-Ce合金涂层的厚度为2~4μm，Cr-Ce合金涂层中Ce元素的质量分数为4.5~5.8%，余量为Cr元素；最后在Cr-Ce合金涂层表面溅射沉积Cr-Si-C绝缘涂层；所述电化学抛光时的电解抛光液由水、硫脲、改性磷酸和2-二乙醇胺基乙磺酸组成，硫脲的质量分数为1~3%，改性磷酸的质量分数为10~15%，2-二乙醇胺基乙磺酸的质量分数为20~35%；改性磷酸的结构如下： 。
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