应用材料公司V·B·沙赫获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利针对碳化钨膜改进附着和缺陷的技术获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111602224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980008285.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权针对碳化钨膜改进附着和缺陷的技术是由V·B·沙赫;A·K·辛格;B·库玛;G·巴拉苏布拉马尼恩设计研发完成，并于2019-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本针对碳化钨膜改进附着和缺陷的技术在说明书摘要公布了：本公开内容的实施方式总的来说涉及硬掩模膜和用于沉积硬掩模膜的方法。更具体而言，本公开内容的实施方式总的来说涉及碳化钨硬掩模膜和用于沉积碳化钨硬掩模膜的工艺。在一个实施方式中，提供了形成碳化钨膜的方法。所述方法包括：在第一沉积速率下，在基板的含硅表面上形成碳化钨初始层。所述方法进一步包括：在第二沉积速率下，在碳化钨初始层上形成碳化钨膜，其中第二沉积速率大于第一沉积速率。
本发明授权针对碳化钨膜改进附着和缺陷的技术在权利要求书中公布了：1.一种形成碳化钨膜的方法，包括： 通过等离子体增强化学气相沉积PECVD，在第一沉积速率下，直接在基板的含硅表面上形成碳化钨初始层；以及 在第二沉积速率下，在所述碳化钨初始层上形成碳化钨膜，其中所述第二沉积速率大于所述第一沉积速率， 其中形成所述碳化钨初始层包括：在第一PECVD工艺中，将所述含硅表面暴露于第一反应性气体，所述第一反应性气体包括WF6、C3H6和H2。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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