应用材料公司考施·K·辛格获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于含金属材料的高压退火处理获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111902929B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980016419.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权用于含金属材料的高压退火处理是由考施·K·辛格;石美仪;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶设计研发完成，并于2019-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于含金属材料的高压退火处理在说明书摘要公布了：本公开内容提供了用于在TFT显示应用、半导体、或存储器应用中在含金属层上执行退火处理的方法。在一个实例中，一种在基板上形成含金属层的方法包括以下步骤：在处理腔室中的基板上供应含氧气体混合物，所述基板包括设置在光学透明基板上的含金属层；将所述处理腔室中的所述含氧气体混合物维持在约2巴和约50巴之间的处理压力下；和在所述含氧气体混合物存在的情况下热退火所述含金属层。
本发明授权用于含金属材料的高压退火处理在权利要求书中公布了：1.一种在基板上形成含金属层的方法，所述方法包括以下步骤： 在处理腔室中的基板上供应含氧气体混合物，所述基板包括设置在光学透明基板上的含金属层； 将所述处理腔室中的所述含氧气体混合物维持在2巴和50巴之间的处理压力下；和 在所述含氧气体混合物存在的情况下热退火所述含金属层，其中： 所述含金属层是选自由GaN、InGaN、AlGaN和InGaAlN组成的组，或者所述含金属层是金属氧化物层，所述金属氧化物层选自由以下各者构成的组：a-IGZO非晶铟镓锌氧化物、掺杂的IGZO、InGaZnON、ZnO、ZnON、ZnSnO、CdSnO、GaSnO、TiSnO、CuBO2、CuAlO2、CuGaO2、SrCuO和LaCuOS， 所述含金属层是TFT装置结构的电极， 所述方法进一步包括在供应所述含氧气体混合物之前将掺杂物注入到所述含金属层中，以及 注入到所述含金属层中的所述掺杂物包括铟或钼，并且增加了所述含金属层的结晶度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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