株式会社电装土持真悟获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114365279B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980100269.8，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权半导体装置是由土持真悟设计研发完成，并于2019-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置具备第一绝缘基板和与第一绝缘基板经由第一导体隔件接合的第一半导体元件。第一绝缘基板具有第一绝缘层和设于第一绝缘层的一侧的第一内侧导体层。第一内侧导体层的表面具有第一区域和包围第一区域并且表面粗糙度比第一区域大的第二区域。第一导体隔件经由第一接合层而与第一内侧导体层的第一区域接合。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第一绝缘基板20；以及 第一半导体元件12，经由第一导体隔件16接合于所述第一绝缘基板； 所述第一绝缘基板具有第一绝缘层22和设于所述第一绝缘层的一侧的第一内侧导体层24， 所述第一内侧导体层的表面具有第一区域NR1和第二区域RG1，该第二区域包围所述第一区域，并且表面粗糙度比所述第一区域的表面粗糙度大， 所述第一导体隔件经由第一接合层60A而接合于所述第一内侧导体层的所述第一区域， 在俯视观察所述第一内侧导体层时，所述第一区域相对于所述第一导体隔件的余量局部扩大， 在所述余量扩大的部分，与其它部分相比，从所述第一导体隔件到所述第一内侧导体层的周缘为止的距离更大。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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