恩智浦美国有限公司林欣获国家专利权
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龙图腾网获悉恩智浦美国有限公司申请的专利具有二极管耦合的隔离环的LDMOS获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111799330B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010262849.1，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权具有二极管耦合的隔离环的LDMOS是由林欣;张志宏;程序;祝荣华设计研发完成，并于2020-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有二极管耦合的隔离环的LDMOS在说明书摘要公布了：一种用于提高横向扩散金属氧化物半导体LDMOS的击穿电压的方法包括将场效应晶体管FET的第一阱偏置到第一电压。所述第一阱与第二阱横向分离。响应于所述第一电压超过连接在所述隔离环与所述第一阱之间的二极管的击穿电压将隔离环充电到第二电压。所述隔离环横向包围所述FET并接触在所述第一阱和所述第二阱下方延伸的掩埋层BL。将衬底偏置到小于或等于所述第一电压的第三电压。所述衬底在所述BL下方横向延伸并接触所述BL。
本发明授权具有二极管耦合的隔离环的LDMOS在权利要求书中公布了：1.一种横向扩散金属氧化物半导体LDMOS，其特征在于，包括： 场效应晶体管FET，所述FET包括源极端、连接到主体区域的主体端和连接到漂移区域的漏极端，所述主体区域与所述漂移区域横向分离； 隔离环，所述隔离环被安置成横向包围所述FET； 掩埋层BL，所述BL位于所述FET下方并与所述隔离环接触；以及 二极管，所述二极管包括阳极和阴极，所述阳极电耦合到所述隔离环，并且所述阴极电耦合到所述FET的N型阱区域；其中所述二极管与所述隔离环通过浅沟槽隔离而横向地分离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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