三星电子株式会社金旻奎获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利形成垂直场效应晶体管器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916352B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010380974.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权形成垂直场效应晶体管器件的方法是由金旻奎;洪思焕设计研发完成，并于2020-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成垂直场效应晶体管器件的方法在说明书摘要公布了：提供了形成垂直场效应晶体管器件的方法。该方法可以包括在基底上形成第一沟道区和第二沟道区，在基底以及第一沟道区和第二沟道区上形成衬垫，通过去除衬垫的一部分和基底的一部分，在第一沟道区和第二沟道区之间的基底中形成凹部，在基底的凹部中形成底部源极漏极区，在底部源极漏极区上形成封盖层，去除衬垫和封盖层，在基底和底部源极漏极区上形成间隔物，以及在第一沟道区和第二沟道区的侧表面上形成栅极结构。
本发明授权形成垂直场效应晶体管器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成垂直场效应晶体管器件的方法，所述方法包括： 在基底上形成第一沟道区和第二沟道区，其中所述第一沟道区和所述第二沟道区从所述基底突出； 在所述基底以及所述第一沟道区和所述第二沟道区上形成衬垫； 通过去除所述衬垫的一部分和所述基底的一部分，在所述第一沟道区和所述第二沟道区之间的基底中形成凹部； 在所述基底的所述凹部中形成底部源极漏极区； 在所述底部源极漏极区上形成封盖层； 去除所述衬垫和所述封盖层； 在所述基底和所述底部源极漏极区上形成间隔物；以及 在所述第一沟道区和所述第二沟道区的侧表面上形成栅极结构， 其中所述间隔物在所述栅极结构和所述基底之间延伸，并且 其中，所述封盖层包括未掺杂的半导体层或掺杂的半导体层，所述掺杂的半导体层的掺杂浓度小于所述底部源极漏极区的掺杂浓度的15％。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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