学校法人关西学院;丰田通商株式会社金子忠昭获国家专利权
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龙图腾网获悉学校法人关西学院;丰田通商株式会社申请的专利SiC衬底的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114342045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080055175.6，技术领域涉及：H01L21/20；该发明授权SiC衬底的制造方法是由金子忠昭;小岛清设计研发完成，并于2020-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本SiC衬底的制造方法在说明书摘要公布了：本发明所要解决的技术问题是提供一种新颖的SiC衬底的制造方法。根据本发明的SiC衬底的制造方法的特征在于包括：蚀刻步骤S10，蚀刻SiC原衬底10；晶体生长步骤S20，在SiC原衬底10上使SiC衬底层13生长来获得SiC衬底体20；以及剥离步骤S30，剥离SiC衬底体20的一部分来获得SiC衬底30，蚀刻步骤S10和晶体生长步骤S20是将SiC原衬底10和SiC材料40对置并进行加热使得在SiC原衬底10和SiC材料40之间形成温度梯度的步骤。
本发明授权SiC衬底的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC衬底的制造方法，其包括： 蚀刻步骤，蚀刻SiC原衬底； 晶体生长步骤，在所述SiC原衬底上使SiC衬底层生长来获得SiC衬底体；以及 剥离步骤，剥离所述SiC衬底体的一部分来获得SiC衬底， 所述蚀刻步骤和所述晶体生长步骤是将所述SiC原衬底收纳在SiC制的主体容器中，将所述SiC原衬底和SiC材料相对配置并在1400℃以上且2300℃以下的温度范围内进行加热、使得在所述SiC原衬底和所述SiC材料之间形成温度梯度的步骤; 其中，所述蚀刻步骤以所述SiC原衬底为高温侧、以所述SiC材料为低温侧的方式进行加热; 其中，所述晶体生长步骤以所述SiC原衬底为低温侧、以所述SiC材料为高温侧的方式进行加热。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人学校法人关西学院;丰田通商株式会社，其通讯地址为：日本国兵库县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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