台湾积体电路制造股份有限公司王嗣裕获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器装置的半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010804770.7，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权存储器装置的半导体结构及其形成方法是由王嗣裕;胡家玮设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置的半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及存储器装置的半导体结构及其形成方法。本发明一些实施例揭露一种用于存储器装置的存储器结构，其包含第一栅极结构及相邻于所述第一栅极结构的第二栅极结构。所述第二栅极结构包含第一层及第二层，且所述第一层介于所述第二层与所述第一栅极结构之间。所述第一层及所述第二层包含相同半导体材料及相同掺杂物。所述第一层具有第一掺杂物浓度，且所述第二层具有不同于所述第一掺杂物浓度的第二掺杂物浓度。
本发明授权存储器装置的半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于存储器装置的半导体结构，其包括： 第一栅极结构；及 第二栅极结构，其相邻于所述第一栅极结构， 其中所述第二栅极结构包括第一层及第二层，所述第一层介于所述第二层与所述第一栅极结构之间，所述第一层及所述第二层包括相同半导体材料及相同掺杂物，所述第一层具有第一掺杂物浓度，且所述第二层具有不同于所述第一掺杂物浓度的第二掺杂物浓度，且 其中所述第二栅极结构包括n型栅极结构，且所述第二层的所述第二掺杂物浓度小于所述第一层的所述第一掺杂物浓度。
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