国际商业机器公司B·多利斯获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利含MTJ器件的多层底部电极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114270519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080057836.9，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权含MTJ器件的多层底部电极是由B·多利斯;T·苏万纳斯里;N·马查克;P·哈什米设计研发完成，并于2020-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本含MTJ器件的多层底部电极在说明书摘要公布了：提供了一种用于包含磁性隧道结MTJ的器件的多层底部电极，该多层底部电极从下到上包括具有第一直径并且由第一底部含电极金属层的剩余部分构成的基段，具有第二直径并且由第二底部含电极金属层的剩余部分构成的中段，具有第三直径并且由第三底部含电极金属层的剩余部分构成的上段，其中，第一直径大于第二直径，第三直径等于或小于第二直径。每个多层底部电极的较宽基段防止所得底部电极的倾斜和或弯曲。由此提供稳定的底部电极。
本发明授权含MTJ器件的多层底部电极在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构，包括： 位于嵌入到第一互连电介质材料层中的导电结构的表面上的多层底部电极，其中，多层底部电极包括具有第一直径并且由第一导电材料构成的基段、具有第二直径并且由成分与第一导电材料不同的第二导电材料构成的中段、以及具有第三直径并且由成分与第二导电材料不同的第三导电材料构成的上段，其中，第一直径大于第二直径，第三直径等于或小于第二直径； 与多层底部电极横向邻接的第二互连电介质材料层，其中，第二互连电介质材料层接触多层底部电极的基段和中段二者的最高表面； 位于多层底部电极的上段的最高表面上的磁性隧道结MTJ柱；以及 位于MTJ柱上的顶部电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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