中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司黄河获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司申请的专利一种射频半导体器件结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010947697.9，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权一种射频半导体器件结构及其制造方法是由黄河;向阳辉设计研发完成，并于2020-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种射频半导体器件结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种射频半导体器件结构及其制造方法，其中，射频半导体器件结构包括：基板，所述基板的第一表面为半导体层；第一射频元件，位于所述半导体层；介质层，位于所述半导体层上、覆盖所述第一射频元件；第一微波吸收层，设置于所述第一射频元件的上方；和或，第二微波吸收层，设置于所述第一射频元件的下方；和或，第三微波吸收层，设置于相邻所述第一射频元件之间。本发明的第一微波吸收层、第二微波吸收层和第三微波吸收层能够吸收射频器件产生的电磁波，进而减少射频器件之间或射频器件与半导体衬底之间的电磁耦合。
本发明授权一种射频半导体器件结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种射频半导体器件结构，其特征在于，包括： 基板，所述基板的第一表面为半导体层； 第一射频元件，位于所述半导体层； 介质层，位于所述半导体层上、覆盖所述第一射频元件； 第一微波吸收层，设置于所述第一射频元件的上方；第二微波吸收层，设置于所述第一射频元件的下方；第三微波吸收层，设置于相邻所述第一射频元件之间； 所述基板从下至上包括依次叠置的衬底层、绝缘层和所述半导体层； 相邻所述第一射频元件之间具有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构中设置有所述第三微波吸收层； 所述浅沟槽隔离结构位于所述半导体层，包括：沟槽，位于所述沟槽中的绝缘介质，所述第三微波吸收层嵌入所述绝缘介质中； 所述第一微波吸收层位于所述介质层中； 所述第二微波吸收层位于所述绝缘层中，或，位于所述衬底层中或位于所述衬底层背面，或，所述衬底层为所述第二微波吸收层； 所述第一微波吸收层或所述第二微波吸收层在所述衬底层表面方向上的投影包围所述第一射频元件在所述衬底层表面方向上的投影。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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