意法半导体股份有限公司D·朱斯蒂获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利用于硬盘存储器系统的读/写设备以及对应的制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211584388.5，技术领域涉及：G11B5/56；该发明授权用于硬盘存储器系统的读/写设备以及对应的制造工艺是由D·朱斯蒂;M·费雷拉设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于硬盘存储器系统的读/写设备以及对应的制造工艺在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例提供了用于硬盘存储器系统的读写设备以及对应的制造工艺。该读写设备包括固定结构；膜区域，包括被约束到固定结构的第一膜和第二膜以及介于第一膜与第二膜之间的中心部分；第一压电致动器和第二压电致动器，分别被机械地耦合到第一膜和第二膜；以及读写头，被固定到膜区域的中心部分。可以控制第一压电致动器和第二压电致动器以导致第一膜和第二膜的对应的变形，第一膜和第二膜的所述变形导致读写头相对于固定结构的对应的移动。
本发明授权用于硬盘存储器系统的读/写设备以及对应的制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种电子设备，包括： 基底； 所述基底中的第一空腔； 第一膜，覆盖所述第一空腔； 第一致动器，覆盖所述第一膜； 第二空腔，在所述基底中，所述第一空腔和所述第二空腔通过所述基底的一部分彼此间隔开； 第二膜，覆盖所述第二空腔，所述第一膜和所述第二膜由延伸到所述第一空腔和所述第二空腔之上的半导体主体的部分形成； 第二致动器，覆盖所述第二膜； 第一沟槽，延伸到所述基底中；以及 第二沟槽，延伸到所述基底中，所述第一沟槽和所述第二沟槽连通所述第一空腔和所述第二空腔，所述第一致动器和所述第二致动器定位在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间， 其中读写头被固定到膜区域的中心部分，所述膜区域的中心部分介于所述第一膜和所述第二膜之间，以及 其中所述第一致动器和所述第二致动器通过电压控制使所述第一膜和所述第二膜变形，使所述读写头相对于所述基底平移。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体股份有限公司，其通讯地址为：意大利阿格拉布里安扎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号