南亚科技股份有限公司钱大恩获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利集成电路导线结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446870B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011542115.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权集成电路导线结构及其制造方法是由钱大恩设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路导线结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成电路导线结构及其制造方法，集成电路导线结构的制造方法包括：提供基板及位于基板上的第一介电层。在第一介电层上形成第一蚀刻遮罩。通过第一蚀刻遮罩蚀刻第一介电层，以形成沟槽。在沟槽中形成第一导电结构，并在第一导电结构及第一介电层上形成导电层。在导电层上形成对准第一导电结构设置的第二蚀刻遮罩。以及通过第二蚀刻遮罩蚀刻导电层，以形成接触第一导电结构的第二导电结构。借此，本发明的集成电路导线结构的制造方法，第一导电结构及第二导电结构可以共同形成高长径比的集成电路导线结构。
本发明授权集成电路导线结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路导线结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基板及位于所述基板上的第一介电层； 在所述第一介电层上形成第一蚀刻遮罩； 通过所述第一蚀刻遮罩蚀刻所述第一介电层，以形成沟槽； 在所述沟槽中形成第一导电结构，并在所述第一导电结构及所述第一介电层上形成导电层，其中所述第一导电结构具有第一上顶部； 在所述导电层上形成对准所述第一导电结构的第二蚀刻遮罩；以及 通过所述第二蚀刻遮罩蚀刻所述导电层，以形成接触所述第一导电结构的第二导电结构，其中所述第二导电结构具有第二上顶部及第二下底部，所述第二上顶部的宽度小于所述第二下底部的宽度，所述第一上顶部接触所述第二下底部，并且其中所述第二下底部的所述宽度与所述第一上顶部的宽度相同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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