英飞凌科技奥地利有限公司叶俐君获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257886B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110158123.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法是由叶俐君;O·布兰克;H·霍费尔;M·胡茨勒;R·西米尼克设计研发完成，并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法在说明书摘要公布了：公开了半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法。本申请涉及一种半导体晶体管器件1，其具有：源极区2；本体区3，其包括在竖向方向10上延伸的沟道区3.1；漏极区4；栅极区6，被布置成在横向方向11上在沟道区3.1旁边；以及由导电材料9制成的本体接触区7，其中本体接触区7形成本体接触区域8，本体接触区7经由本体接触区域8与本体区3电接触，并且其中本体接触区域8相对于竖向方向10和横向方向11倾斜。
本发明授权半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶体管器件1，具有： 源极区2， 本体区3，包括在竖向方向10上延伸的沟道区3.1， 漏极区4， 栅极区6，被布置成在横向方向11上在沟道区3.1旁边，以及 由导电材料9制成的本体接触区7， 其中，本体接触区7形成本体接触区域8，本体接触区7经由本体接触区域8与本体区3电接触， 并且其中，本体接触区域8相对于竖向方向10和横向方向11倾斜， 其中，本体接触区域8具有在竖向横截面中看到的凹形形状18。
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