西部数据技术公司刘小勇获国家专利权
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龙图腾网获悉西部数据技术公司申请的专利使用双自由层的磁传感器电桥获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113848517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110254168.5，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权使用双自由层的磁传感器电桥是由刘小勇;Q·勒;Z·白;D·毛里;Z·李;K·S·胡;T·A·阮;R·纳加比拉瓦设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用双自由层的磁传感器电桥在说明书摘要公布了：本发明题为“使用双自由层的磁传感器电桥”。本公开整体涉及利用双自由层DFL结构的传感器装置，诸如磁传感器电桥。该装置包括多个电阻器，每个电阻器包括相同的DFL结构。与DFL结构相邻的是磁性结构，该磁性结构可包括永磁体、其上具有合成AFMSAF结构的反磁铁AFM层、其上具有SAF结构的永磁体或者其上具有铁磁层的AFM层。DFL结构与磁性结构的不同层对准以区分电阻器。不同的对准和或不同的磁性结构由于降低的复杂性而减少了生产时间，从而降低了成本。
本发明授权使用双自由层的磁传感器电桥在权利要求书中公布了：1.一种传感器装置，包括： 第一电阻器，所述第一电阻器包括： 至少一个第一双自由层传感器即第一DFL传感器，每个第一DFL传感器包括第一合成反铁磁软偏置侧屏蔽即第一SAF软偏置侧屏蔽、第二SAF软偏置侧屏蔽、以及设置在第一和第二SAF软偏置侧屏蔽之间的第一自由层和第二自由层，其中所述第一SAF软偏置侧屏蔽包括第一下软偏置、设置在所述第一下软偏置上的第一间隔件、以及设置在所述第一间隔件上的第一上软偏置，并且其中所述第二SAF软偏置侧屏蔽包括第二下软偏置、设置在所述第二下软偏置上的第二间隔件、以及设置在所述第二间隔件上的第二上软偏置；和 至少一个第一磁性结构，其中每个第一磁性结构包括： 第一反铁磁AFM层即第一AFM层；和 设置在所述第一AFM层上方的合成反铁磁结构即SAF结构，其中当以横截面观察时，所述至少一个第一DFL传感器与所述SAF结构线性对准；和 第二电阻器，所述第二电阻器包括： 至少一个第二DFL传感器；和 至少一个第二磁性结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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