意法半导体股份有限公司F·里奇尼获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利高抗静摩擦现象的MEMS惯性传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113406355B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110276918.9，技术领域涉及：G01P15/125；该发明授权高抗静摩擦现象的MEMS惯性传感器是由F·里奇尼;G·加特瑞;S·泽比尼设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本高抗静摩擦现象的MEMS惯性传感器在说明书摘要公布了：公开了一种高抗静摩擦现象的MEMS惯性传感器。MEMS惯性传感器包括支撑结构和惯性结构。惯性结构包括至少一个惯性质量块、弹性结构和止动结构。弹性结构机械地耦合到惯性质量块和支撑结构以使得当支撑结构受到平行于第一方向的加速度时，惯性质量块能够在平行于第一方向的方向上运动。止动结构相对于支撑结构固定，并且至少包括一个主止动元件和一个次止动元件。如果加速度超过第一阈值，则惯性质量块紧靠主止动元件，并且随后围绕由主止动元件限定的旋转轴旋转。如果加速度超过第二阈值，则当惯性质量块紧靠次止动元件时，惯性质量块的旋转终止。
本发明授权高抗静摩擦现象的MEMS惯性传感器在权利要求书中公布了：1.一种MEMS惯性传感器，包括： 支撑结构； 惯性结构，包括至少一个第一惯性质量块； 第一弹性结构，被机械地耦合到所述第一惯性质量块和所述支撑结构，以使得：当所述支撑结构受到平行于第一方向的第一加速度时，所述第一惯性质量块能够相对于所述支撑结构在平行于所述第一方向的方向上运动；以及 第一止动结构，相对于所述支撑结构被固定，并且至少包括一个第一主第一轴止动元件和一个第一次第一轴止动元件， 其中所述第一主第一轴止动元件被配置为使得：如果所述第一加速度超过第一阈值，则所述第一惯性质量块紧靠所述第一主第一轴止动元件，并且随后围绕由所述第一主第一轴止动元件限定的第一旋转轴转动，以及 其中所述第一次第一轴止动元件被配置为使得：如果所述第一加速度超过比所述第一阈值高的第二阈值，则当所述第一惯性质量块紧靠所述第一次第一轴止动元件时，所述第一惯性质量块的旋转终止。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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