硅晶体有限公司迈克尔·沃格尔获国家专利权
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龙图腾网获悉硅晶体有限公司申请的专利具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体及其生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110826666.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体及其生产方法是由迈克尔·沃格尔;欧文·施密特;阿恩德-迪特里希·韦伯;拉尔夫-乌韦·巴尔茨;多米尼克·巴恩斯巴赫设计研发完成，并于2021-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体及其生产方法在说明书摘要公布了：本发明涉及具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体及其生产方法，尤其提供了一种其晶体结构的特定取向设定为减少或者甚至消除机械加工期间裂纹或裂缝的出现的单晶4H‑SiC半成品及其生产方法。具有纵向轴线和平行于所述纵向轴线的至少部分弯曲的侧表面的单晶4H‑SiC半成品的特征在于，4H‑SiC半成品的晶体结构相对于纵向轴线取向成使得在半成品的侧表面上的每个位置都有线段，该线段与每单位长度上至少预定最小数量的型的平行解理面相交，其中所述线段由在所述位置处与侧表面相切的平面限定。
本发明授权具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体及其生产方法在权利要求书中公布了：1.一种具有提高的抗解理机械鲁棒性的单晶4H-SiC半成品，所述单晶4H-SiC半成品具有纵向轴线和平行于所述纵向轴线的至少部分弯曲的侧表面， 其特征在于， 所述4H-SiC半成品的晶体结构相对于所述纵向轴线取向成使得在所述半成品的所述侧表面上的每个位置处都有这样的线段，所述线段与每毫米线段长度上至少1000个{}型的平行解理面相交， 4H-SiC晶体结构的基面的主轴线相对于所述纵向轴线朝着方向倾斜第一倾斜角，所述第一倾斜角为4°，容差为±0.5°；和 所述基面的主轴线相对于所述纵向轴线朝着方向倾斜第二倾斜角， 所述第二倾斜角为选自区间[0.015°，0.153°]的值， 其中，所述线段由在所述位置处与所述侧表面相切的平面限定。
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