长鑫存储技术有限公司张雁红获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692306B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110833194.3，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构及其制备方法是由张雁红;杨鹏设计研发完成，并于2021-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供具有沟槽的基底，基底中除去沟槽的区域构成间隔设置的多个有源区；在沟槽的内壁上形成依次层叠设置的第一隔离层和第二隔离层，第一隔离层的顶面低于第二隔离层的顶面，以使第二隔离层与有源区之间形成凹槽；在凹槽内形成阻挡层。本申请通过使第二隔离层与有源区之间形成凹槽，并在凹槽内形成阻挡层，利用阻挡层的刻蚀速率小于第一隔离层的刻蚀速率，在后续刻蚀去除位于基底上的其他膜层时，不会对阻挡层造成过刻蚀，进而不会造成隔离结构的缺失，这样可以避免相邻的有源区之间产生漏电流，提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供基底，所述基底内具有沟槽，且所述基底中除去沟槽的区域构成间隔设置的多个有源区； 在所述沟槽的内壁上形成依次层叠设置的第一隔离层和第二隔离层，所述第一隔离层的顶面低于所述第二隔离层的顶面，以使所述第二隔离层与所述有源区之间形成凹槽，所述第二隔离层在所述沟槽内围成中间沟槽； 在所述凹槽内形成阻挡层，所述阻挡层的刻蚀速率小于所述第一隔离层的刻蚀速率； 在所述中间沟槽内形成第三隔离层，所述第三隔离层填充满所述中间沟槽，所述第一隔离层、所述第二隔离层、所述第三隔离层以及所述阻挡层构成隔离结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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