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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110878851.6，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置是由花形祥子设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式涉及半导体装置，多个IGBT区域和多个二极管区域沿第一方向交替设定，并具有第一～第三电极和半导体部分。所述半导体部分具有第一导电型的集电极层、第二导电型的低浓度和高浓度的阴极层、第二导电型的漂移层、第一导电型的阳极层及基极层、以及第二导电型的发射极层。所述低浓度阴极层和所述高浓度阴极层与所述第一电极相接。当将所述半导体部分的下表面中的所述二极管区域沿着所述第一方向三等分为第一周边区域、中央区域以及第二周边区域时，所述中央区域中的所述低浓度阴极层的面积率比所述第一周边区域以及所述第二周边区域中的所述低浓度阴极层的面积率高。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，是多个IGBT区域和多个二极管区域沿着第一方向交替设定的半导体装置，其特征在于，具备： 第一电极； 设置在所述第一电极上的半导体部分， 所述半导体部分具有： 设置在所述IGBT区域并与所述第一电极相接的第一导电型的集电极层、 设置在所述二极管区域并与所述第一电极相接的第二导电型的低浓度阴极层、 设置在所述二极管区域并与所述第一电极相接且为第二导电形的、杂质浓度比所述低浓度阴极层的杂质浓度高的高浓度阴极层、 设置在所述集电极层上、所述低浓度阴极层上以及所述高浓度阴极层上的第二导电型的漂移层、 在所述二极管区域中局部地设置在所述漂移层上的多个第一导电型的阳极层、 在所述IGBT区域中局部地设置在所述漂移层上的多个的第一导电型的基极层、以及 在所述IGBT区域中设置在所述基极层上的第二导电型的发射极层， 将所述半导体部分的下表面的所述二极管区域沿着所述第一方向三等分为第一周边区域、中央区域以及第二周边区域时，所述中央区域中的所述低浓度阴极层的面积率比所述第一周边区域以及所述第二周边区域中的所述低浓度阴极层的面积率高； 第二电极，在所述IGBT区域和所述二极管区域中设置在所述半导体部分上，与所述阳极层以及所述发射极层连接； 第三电极，设置在所述IGBT区域，与所述发射极层、所述基极层以及所述漂移层对置；以及 绝缘膜，设置在所述半导体部分与所述第三电极之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。