南亚科技股份有限公司简荣兴获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利存储器元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512163B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110954467.X，技术领域涉及：G11C11/401；该发明授权存储器元件及其制备方法是由简荣兴设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器元件及其制备方法在说明书摘要公布了：提供一种存储器元件，包括半导体基底，具有第一主动区以及第二主动区，第二主动区邻近第一主动区。该存储器元件还具有第一字元线，延伸经过第一主动区与第二主动区。该存储器元件还具有位在第一主动区中的第一源极漏极区以及位在第二主动区中的第二源极漏极区，而第一源极漏极区与第二源极漏极区设置在第一字元线的相对两侧处。此外，该存储器元件具有第一电容器以及第二电容器；第一电容器设置在第一主动区中的第一源极漏极区上，且电性连接到位在第一主动区中的第一源极漏极区；而第二电容器设置在第二主动区中的第二源极漏极区上，且电性连接到位在第二主动区中的第二源极漏极区。第一电容器与第二电容器具有不同尺寸。
本发明授权存储器元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器元件，包括： 一半导体基底，具有一第一主动区以及一第二主动区，该第二主动区邻近该第一主动区；其中该第一主动区包括一第一源极漏极区以及该第二主动包括一第二源极漏极区； 一第一字元线，延伸经过该第一主动区与该第二主动区两者；其中位在该第一主动区中的该第一源极漏极区以及位在该第二主动区中的该第二源极漏极区设置在该第一字元线的相对两侧处，其中该第一源极漏极区与该第二源极漏极区通过该第一字元线而分隔开； 一第一电容器，设置在该第一主动区中的该第一源极漏极区上，且电性连接到位在该第一主动区中的该第一源极漏极区；以及 一第二电容器，设置在该第二主动区中的该第二源极漏极区上，且电性连接到位在该第二主动区中的该第二源极漏极区，其中位在该第一主动区中的该第一电容器与位在第二主动区中的该第二电容器具有不同尺寸，该第一电容器与该第二电容器两者都由该第一字元线延伸经过。
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