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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141724B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111029285.8，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体封装是由权容焕设计研发完成，并于2021-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装在说明书摘要公布了：一种半导体封装，包括：半导体芯片，具有在第一方向上交替布置的第一接触焊盘和第二接触焊盘；绝缘膜，具有分别限定第一接触焊盘的第一焊盘区的第一开口、以及分别限定所述第二接触焊盘的第二焊盘区的第二开口；第一导电盖层和第二导电盖层，分别在所述第一焊盘区和所述第二焊盘区上；以及绝缘层，在所述绝缘膜上，并且具有分别连接到所述第一导电盖层和所述第二导电盖层的第一接触孔和第二接触孔。所述第一焊盘区和所述第二焊盘区中的每一个包括：具有第一宽度的结合区和具有大于所述第一宽度的第二宽度的探测区，并且所述第二焊盘区中的每一个在与多个第一焊盘区中的每一个相反的方向上布置。

本发明授权半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括： 半导体芯片，包括多个第一接触焊盘和多个第二接触焊盘在第一方向上交替地布置的有源表面； 绝缘膜，在所述半导体芯片的所述有源表面上，并且包括分别限定所述多个第一接触焊盘的第一焊盘区的多个第一开口和分别限定所述多个第二接触焊盘的第二焊盘区的多个第二开口； 多个第一导电盖层和多个第二导电盖层，分别在所述第一焊盘区和所述第二焊盘区上，所述多个第一导电盖层和所述多个第二导电盖层中的每一个包括在所述绝缘膜上延伸的延伸部； 绝缘层，在所述绝缘膜上，并且包括分别连接到所述多个第一导电盖层和所述多个第二导电盖层的多个第一接触孔和多个第二接触孔；以及 重分布层，在所述绝缘层上，并且分别通过所述多个第一接触孔和所述多个第二接触孔连接到所述多个第一导电盖层和所述多个第二导电盖层， 其中，所述第一焊盘区和所述第二焊盘区中的每一个包括具有第一宽度的结合区和具有大于所述第一宽度的第二宽度的探测区，并且 其中，所述第一焊盘区中的每一个在与所述第一方向相交的第二方向上以所述结合区和所述探测区的顺序布置，并且 其中，所述第二焊盘区中的每一个在与所述第二方向相反的方向上以所述结合区和所述探测区的顺序布置。

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