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龙图腾网获悉淮安澳洋顺昌光电技术有限公司申请的专利LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113793889B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111198536.5，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权LED芯片及其制备方法是由王思博;李冬梅;廖汉忠设计研发完成，并于2021-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种LED芯片及其制备方法。包括：衬底、外延层、电流阻挡层、电流扩展层、第一P型电极、第一N型电极、第一绝缘层、第二P型电极、第二N型电极、第二绝缘层、第三P型电极、第三N型电极、P型焊盘和N型焊盘。该LED芯片通过改进倒装芯片的电极设计，通过增加第三N型电极和第三P型电极，且第三N型电极与P型焊盘在空间上无任何重叠，同理第三P型电极与N型焊盘在空间上也无任何重叠，二者无接触可能，不存在因为任何原因导致氧化硅断裂，而导致极性不同的P、N型电极互连而发生漏电失效的问题，从而提高了芯片的可靠性。

本发明授权LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.LED芯片，其特征在于，包括： 衬底； 具有PN台阶的外延片，所述外延片包括N型半导体层、发光层和P型半导体层；所述P型半导体层上设置有电流扩展层； 至少一个第一P型电极，位于所述PN台阶上，并与所述P型半导体层电性连接； 至少一个第一N型电极，位于所述N型半导体层上与所述N型半导体层电性连接； 第一绝缘层，覆盖所述第一N型电极、所述PN台阶、所述第一P型电极以及所述N型半导体层，并设置有多个第一通孔和多个第二通孔； 第二P型电极，设置于所述第一绝缘层上，通过所述第一通孔与所述第一P型电极电性连接； 第二N型电极，设置于所述第一绝缘层上，通过所述第二通孔与所述第一N型电极电性连接； 第二绝缘层，覆盖所述第二P型电极、所述第二N型电极和所述第一绝缘层，并设置有多个第三通孔和多个第四通孔； 第三P型电极，设置于第二绝缘层上，通过所述第三通孔与所述第二P型电极电性连接； 第三N型电极，设置于第二绝缘层上，通过所述第四通孔与所述第二N型电极电性连接； P型焊盘，设置于所述第三P型电极上，并与第三P型电极电性连接； N型焊盘，设置于所述第三N型电极上，并于第三N型电极电性连接； 在垂直剖视图方向，所述N型焊盘与所述第二P型电极之间至少设置有所述第三N型电极，所述P型焊盘与所述第二N型电极之间至少设置有所述第三P型电极。

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