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龙图腾网获悉广东方舟智造科技有限公司申请的专利键盘电路薄膜半成品的电测方法、电测头与设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114113980B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111339668.5，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权键盘电路薄膜半成品的电测方法、电测头与设备是由孔令海;刘超;张亮;龙勇设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本键盘电路薄膜半成品的电测方法、电测头与设备在说明书摘要公布了：本申请涉及电路薄膜检测技术领域，尤其是涉及一种键盘电路薄膜半成品的电测方法，包括以下步骤，将半成品电路薄膜卷进行放卷，所述半成品电路薄膜卷一体包括有多个键盘电路薄膜半成品；所述半成品电路薄膜卷间歇式卷出使键盘电路薄膜半成品对位在电测头的下方并进行电测，所述电测头包括探针与压合块，所述电测头的探针一对一压合在所述按键电极，所述电测头的压合块一对多压合在所述排线端子，并在所述压合头输入电信号，且在所述探针检测所述按键电极是否有电信号输出；辨识所述键盘电路薄膜半成品是否为良品；将电测与辨识后的键盘电路薄膜半成品进行收卷，通过上述方案减少产能损失，保障了良品率。

本发明授权键盘电路薄膜半成品的电测方法、电测头与设备在权利要求书中公布了：1.一种键盘电路薄膜的制造方法，其特征在于，包括： 将半成品电路薄膜卷进行放卷，所述半成品电路薄膜卷一体包括有多个键盘电路薄膜半成品；所述键盘电路薄膜半成品包括位于基层（1）内侧的底层线路（12）、覆盖部分底层线路（12）的过桥绝缘层（13）、形成于所述过桥绝缘层（13）上的过桥线路（14），所述底层线路（12）包括排线端子（121）与按键电极（122），至少一个的所述按键电极（122）通过所述过桥线路（14）导通到所述排线端子（121）； 间歇式卷出所述半成品电路薄膜卷，使键盘电路薄膜半成品对位在电测头（23）的下方以供电测，所述电测头（23）包括安装板（231），所述安装板（231）上穿设有若干个用于电测键盘电路的探针（232），所述安装板（231）上还滑移有用于接触键盘电路排线端子（121）并与探针（232）形成电回路的压合块（233），所述电测头（23）的安装板（231）竖直下压在键盘电路薄膜半成品上，所述电测头（23）的压合块（233）一对多压合在所述排线端子（121）并向压合块（233）输入电信号，所述电测头（23）的探针（232）一对一压合在所述按键电极（122），以检测所述按键电极（122）电信号输出；所述安装板（231）的两端均设置有两个针筒气缸（235），所述针筒气缸（235）的针头滑移在安装板（231）上，所述安装板（231）贴合键盘电路薄膜的一侧间隔均匀的设置有若干个限位条（234），所述限位条（234）为硅橡胶条，所述安装板（231）下压直至所述安装板（231）上的若干个所述探针（232）与相应的按键电极（122）接触，且所述压合块（233）与相应的排线端子（121）相接触，所述安装板（231）停止下压； 辨识所述键盘电路薄膜半成品是否为良品；辨识步骤中，当辨识出所述键盘电路薄膜半成品为不良品时，通过所述针筒气缸（235）的针头在不良电路的周侧进行打孔标记； 上升所述电测头（23），并将电测与辨识后的键盘电路薄膜半成品进行收卷； 由电测得到的半成品电路薄膜卷中辨识出良品与不良品的键盘电路薄膜半成品，裁切出良品的键盘电路薄膜半成品，将裁切出的良品键盘电路薄膜半成品对折压合以形成键盘电路薄膜，并在所述键盘电路薄膜上开设按键框孔（3），所述底层线路（12）与所述过桥线路（14）避让形成在所述按键框孔（3）以外的框条（31）。

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