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龙图腾网获悉上海锐麟微电子有限公司申请的专利闪速存储器的存储单元阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116171044B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111395100.5，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权闪速存储器的存储单元阵列是由宁丹;杨震设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪速存储器的存储单元阵列在说明书摘要公布了：本发明涉及一种闪速存储器的存储单元阵列，其包括衬底和至少一个存储单元，存储单元包含：一个公共源极扩散区，位于衬底中；一个公用线，位于源极扩散区的正上方；一对叠置栅极，位于公用线两侧，每个叠置栅极包括垂直叠置的控制栅极和浮置栅极；两个选择栅极，分别位于叠置栅极的与公用线相对的一侧；在每个叠置栅极中，控制栅极横向尺寸大于浮置栅极，其位于浮置栅极顶部上方并与浮置栅极一侧对准；或控制栅极的横向两端均超出浮置栅极，使两侧均不对准；控制栅极沿浮置栅极的未对准的侧面，在浮置栅极与公用线和或选择栅之间，向下方的衬底延伸。本发明的存储单元单元阵列尺寸小、结构简单、编程和擦除操作易于进行、而且性能优良稳定。

本发明授权闪速存储器的存储单元阵列在权利要求书中公布了：1.一种闪速存储器的存储单元阵列，其特征在于包括：一个衬底，和至少一个存储单元； 所述存储单元包含： 一个公共源极扩散区，位于衬底中； 一个公用线，位于衬底上，而且位于源极扩散区的正上方； 一对叠置栅极，位于衬底上，在所述公用线两侧呈左右镜像对称排布，其中每个叠置栅极包括垂直叠置的控制栅极和浮置栅极； 两个选择栅极，分别位于所述叠置栅极的与公用线相对的一侧，而且与叠置栅极对准，并沿所述公用线呈左右镜像对称排布； 在所述每个叠置栅极中，控制栅极横向尺寸大于浮置栅极，其位于浮置栅极顶部上方并与浮置栅极一侧对准；或控制栅极的横向两端均超出浮置栅极，使两侧均不对准；所述控制栅极沿浮置栅极的未对准的侧面，在浮置栅极与公用线和或选择栅之间，向下方的衬底延伸； 其中所述浮置栅极与衬底之间有浮栅氧化物层，其自位于浮置栅极的未对准侧的末端，向公用线和或选择栅极横向延伸，突出于浮置栅极，以隔离衬底与控制栅极的向下延伸部分； 所述控制栅极与浮置栅极之间有第一介电层，其横向延伸至控制栅极的向下延伸部分与浮栅氧化物层的横向突出部分之间，隔离衬底与控制栅极的向下延伸部分。

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