长江存储科技有限责任公司顾妍获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及三维存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171524B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111443014.7，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体结构及三维存储器的制备方法是由顾妍;王迪;周文犀设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及三维存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及三维存储器的制备方法，该方法包括：在衬底上交替堆叠牺牲层和电介质层以形成堆叠结构，其中，堆叠结构包括切割区；形成贯穿所述堆叠结构位于切割区的部分并延伸至所述衬底中的多个第一虚设沟道开口；在所述第一虚设沟道开口内填充沟道填充材料以形成第一虚设沟道结构；形成贯穿所述第一虚设沟道结构的切割槽；以及在所述切割槽内填充导电材料以形成切割道。
本发明授权半导体结构及三维存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上交替堆叠牺牲层和电介质层以形成堆叠结构，其中，所述堆叠结构包括台阶区和切割区，所述堆叠结构位于所述台阶区的部分具有台阶结构； 形成覆盖所述台阶结构的绝缘层； 形成贯穿所述堆叠结构位于所述切割区的部分并延伸至所述衬底中的多个第一虚设沟道开口； 在所述第一虚设沟道开口内填充沟道填充材料以形成第一虚设沟道结构，所述沟道填充材料与所述绝缘层的材料相同或具有相同的刻蚀选择比； 形成贯穿所述第一虚设沟道结构的切割槽；以及 在所述切割槽内填充导电材料以形成切割道。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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