现代摩比斯株式会社金信儿获国家专利权
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龙图腾网获悉现代摩比斯株式会社申请的专利功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628520B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111491168.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权功率半导体器件是由金信儿;金台烨;河定穆;禹赫设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了功率半导体器件，其包括碳化硅SiC半导体层；设置在半导体层中的多个阱区，多个阱区彼此间隔开且具有第二导电类型；分别设置在多个阱区上的半导体层中的多个源极区，其彼此间隔开；具有第一导电类型；以及设置在半导体层中的漂移区，漂移区从多个阱区的下侧穿过多个阱区之间延伸至半导体层的表面；多个沟槽；栅极绝缘层和设置在栅极绝缘层上的栅电极层。
本发明授权功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，包括： 碳化硅（SiC）半导体层； 多个阱区，设置在所述半导体层中，彼此间隔开并具有第二导电类型； 多个源极区，分别设置在所述多个阱区上的所述半导体层中，彼此间隔开并具有第一导电类型； 漂移区，具有所述第一导电类型并设置在所述半导体层中，所述漂移区从所述多个阱区的下侧穿过所述多个阱区之间延伸到所述半导体层的表面； 多个沟槽，设置成从所述半导体层的表面凹入所述半导体层的内部，使得所述多个沟槽中的每一个连接所述多个源极区中彼此相邻的两个源极区； 栅极绝缘层，设置在所述多个沟槽的内壁和所述半导体层的所述表面上；以及 栅电极层，设置在所述栅极绝缘层上，并包括埋入所述多个沟槽的第一部分和位于所述半导体层的所述表面上的第二部分， 多个阱接触区，设置在所述多个源极区中并位于所述多个阱区上且具有所述第二导电类型；以及 源电极层，与所述多个源极区和所述多个阱接触区连接 其中，所述多个阱接触区在平面图中具有圆形形状，以及 其中，所述多个源极区具有围绕所述多个阱接触区的圆环形状， 其中，所述多个阱区呈环形围绕所述多个源极区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人现代摩比斯株式会社，其通讯地址为：韩国首尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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