拓荆科技股份有限公司关帅获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技股份有限公司申请的专利用于半导体工艺的气体混合装置及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114210220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111522231.5，技术领域涉及：B01F25/20；该发明授权用于半导体工艺的气体混合装置及半导体工艺设备是由关帅;野沢俊久;吴凤丽设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体工艺的气体混合装置及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明揭露一种用于半导体工艺的气体混合装置，其从上游端至下游端依序包含：一窄孔，界定于所述本体中且具有一上游端及一下游端；一缓冲空间，界定于所述本体中且具有一上游端及一下游端，所述缓冲空间的上游端流体连接至所述窄孔的下游端，且所述缓冲空间的宽度大于所述窄孔的宽度；及一分流板，具有一上表面及一下表面，所述分流板的上表面及下表面之间形成有多个分流孔，所述多个分流孔流体连接至所述缓冲空间的下游端。其特征在于，所述分流板的上表面形成有一凹穴，且所述凹穴正对所述窄孔的下游端，借此使通过所述窄孔的气流撞击所述凹穴的壁而形成湍流。此外，本发明还提供了一种半导体工艺设备。
本发明授权用于半导体工艺的气体混合装置及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体工艺的气体混合装置，其特征在于，包括： 一本体，具有一上游端及一下游端，且所述上游端与所述下游端之间依序包含： 一窄孔，界定于所述本体中且具有一上游端及一下游端，所述窄孔的上游端配置为接收第一气体和第二气体； 一缓冲空间，界定于所述本体中且具有一上游端及一下游端，所述缓冲空间的上游端流体连接至所述窄孔的下游端，且所述缓冲空间的宽度大于所述窄孔的宽度； 及一分流板，具有一上表面及一下表面，所述分流板的上表面及下表面之间形成有多个分流孔，所述多个分流孔流体连接至所述缓冲空间的下游端，其中，所述分流板的上表面形成有一凹穴，且所述凹穴正对所述窄孔的下游端，藉此使通过所述窄孔的气流撞击所述凹穴的壁被反弹而形成湍流。
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