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龙图腾网获悉意法半导体国际有限公司申请的专利在高精度热感测器中实现VPTAT乘法器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114661266B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111571839.7，技术领域涉及：G06F7/523；该发明授权在高精度热感测器中实现VPTAT乘法器的方法是由P·K·潘加;K·查特杰;A·德威弗迪设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本在高精度热感测器中实现VPTAT乘法器的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及在高精度热感测器中实现VPTAT乘法器的方法。温度感测电路、开关电容器电路选择性地对ΔVbe和Vbe电压进行采样并且将经采样的电压提供给积分器的输入。量化电路对积分器的输出进行量化以产生比特流。当比特流的最新比特是逻辑零时，操作包括对ΔVbe进行第一给定次数的采样和积分，以产生与绝对温度成比例的电压。当比特流的最新比特是逻辑一时，操作包括对Vbe进行第二给定次数的采样和积分，以产生与绝对温度互补的电压。低通滤波器和抽取器对由量化电路产生的比特流进行滤波和抽取，以产生指示集成有温度感测电路的芯片的温度的信号。

本发明授权在高精度热感测器中实现VPTAT乘法器的方法在权利要求书中公布了：1.一种温度感测电路，包括： 电压生成电路系统，包括： 第一双极结型晶体管和第二双极结型晶体管，具有耦合的集电极和基极，并且以不同的电流密度被偏置；以及 第三双极结型晶体管，所述第三双极结型晶体管的集电极耦合到所述第三双极结型晶体管的基极，所述第三双极结型晶体管由校准电流偏置； 积分器； 开关电容器电路，被配置为选择性地对由所述电压生成电路系统产生的电压进行采样，并且向所述积分器的输入提供经采样的电压； 量化电路，被配置为对所述积分器的输出进行量化以产生比特流； 其中所述开关电容器电路在所述比特流的控制下与所述积分器配合，以： 当所述比特流的最新比特为逻辑零时，引起对所述第一双极结型晶体管的基极-发射极电压与所述第二双极结型晶体管的基极-发射极电压之间的差值进行第一给定次数的采样和积分，以由此产生与绝对温度成比例的电压；以及 当所述比特流的所述最新比特为逻辑一时，引起对所述第三双极结型晶体管的基极-发射极电压进行第二给定次数的采样和积分，以由此产生与绝对温度互补的电压；以及 低通滤波器和抽取器，被配置为对由所述量化电路产生的所述比特流进行滤波和抽取，以产生指示芯片温度的信号，所述温度感测电路被放置在所述芯片中。

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