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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530498B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210013554.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法是由马晓华;侯斌;牛雪锐;杨凌;张濛;武玫;王冲;郝跃设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法，包括：由下至上依次设置的第一Si衬底层、P‑GaN层、UID‑InxGaN层、AlyGaN势垒层和保护层；AlyGaN势垒层、UID‑InxGaN层和P‑GaN层形成N面的异质结结构；其中，0.02≤x≤0.05；AlyGaN势垒层上开设有栅极凹槽；AlyGaN势垒层的两侧分别沉积有源电极和漏电极；其中，0.2≤y≤0.3；源电极和漏电极均延伸至保护层内；栅极凹槽，槽口朝向保护层；栅极凹槽上设置有栅电极；栅电极延伸至保护层内；源电极、漏电极和栅电极的上方分别沉积有贯穿保护层的互联金属。本发明够使P沟道器件有较高的空穴迁移率，从而改善了器件的性能，以实现高电流密度器件。

本发明授权一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件，其特征在于，包括： 由下至上依次设置的第一Si衬底层11、P-GaN层20、UID-InxGaN层30、AlyGaN势垒层40和保护层50；其中，所述UID表示非故意掺杂； 所述AlyGaN势垒层40、所述UID-InxGaN层30和所述P-GaN层20形成N面的异质结结构；其中，0.02≤x≤0.05； 所述AlyGaN势垒层40上开设有栅极凹槽41；所述AlyGaN势垒层40的两侧分别沉积有源电极61和漏电极62；其中，0.2≤y≤0.3； 所述源电极61和所述漏电极62的顶部均延伸至所述保护层50内；所述源电极61和所述漏电极62的底部均与所述P-GaN层20的上表面接触； 所述栅极凹槽41，槽口朝向所述保护层50；所述栅极凹槽41上设置有栅电极42； 所述栅电极42的顶部延伸至所述保护层50内；所述栅电极42的底部延伸至所述AlyGaN势垒层40内； 所述源电极61、所述漏电极62和所述栅电极42的上方分别沉积有贯穿所述保护层50的互联金属70。

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