买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉香港应用科技研究院有限公司申请的专利具有短路保护功能的碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115485855B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280001140.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有短路保护功能的碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是由丘树坚;马晨月;王兆伟设计研发完成，并于2022-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有短路保护功能的碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在说明书摘要公布了：由碳化硅SiC晶片制成的集成的MOSFET‑JFET器件具有N+源极、P体二极管和上N区，在多晶硅栅极的侧壁上形成垂直MOSFET。上N区下方的N衬底形成漂移区，其被JFET夹住以限制饱和电流。MOSFET之间形成沟槽。通过对沟槽的底部和侧壁进行掺杂以在N衬底上形成P+抽头而形成了JFET。N衬底内的P岛形成在P+抽头下方。这些P岛在靠近表面的地方比较宽，但越深入N衬底，随着垂直间距的增加而逐渐变窄。这种P岛的渐变为JFET耗尽区提供了一种锥形形状，它夹住了N衬底中的MOSFET漂移区，以限制饱和电流并降低线性区的导通电阻。

本发明授权具有短路保护功能的碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在权利要求书中公布了：1.一种集成的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET-结型场效应晶体管JFET器件，包括： 漏极接触，其形成在高掺杂半导体衬底的背面，所述高掺杂半导体衬底具有高浓度的第一掺杂类型； 衬底，其形成在所述高掺杂半导体衬底的顶面上，所述衬底具有低浓度的所述第一掺杂类型； 埋岛，其形成在所述衬底内，并位于所述高掺杂半导体衬底上方，所述埋岛具有与所述第一掺杂类型极性相反的第二掺杂类型，所述埋岛被所述衬底与所述顶面隔开，并被所述衬底与所述背面隔开； 沟槽，其从顶面进入所述衬底而形成，所述沟槽的侧壁和底部掺有所述第二掺杂类型，以形成接触所述衬底的JFET抽头； 其中，所述沟槽形成在其中一个所述埋岛的上方，其中由所述JFET抽头和所述衬底形成JFET； 其中，所述埋岛还包括：最上面的埋岛，其与所述JFET抽头相隔第一间距，并具有第一宽度；中间埋岛，其与所述最上面的埋岛相隔第二间距，并具有第二宽度；下面的埋岛，其与所述中间埋岛相隔第三间距，并具有第三宽度；所述最上面的埋岛、所述中间埋岛和所述下面的埋岛均以所述沟槽为中心但不接触所述沟槽；所述第一宽度比所述第二宽度宽，且所述第二宽度比所述第三宽度宽；其中所述最上面的埋岛、所述中间埋岛和所述下面的埋岛形成锥形结构；所述第一间距小于所述第二间距，且所述第二间距小于所述第三间距；其中，对于在所述衬底中更深的埋岛，所述埋岛之间的垂直间距增加；其中，在线性模式期间，所述衬底中的漂移区的导通电阻通过增加所述衬底中深处的埋岛之间的垂直间隔而减小； 其中，所述埋岛都在饱和模式期间产生的耗尽区内，其中所述埋岛中下面的埋岛在线性模式期间不在所述耗尽区内； 多晶硅栅极，其形成在所述沟槽与另一沟槽之间； 源极，其形成在靠近所述多晶硅栅极的顶面，所述源极具有高浓度的所述第一掺杂类型； 体区，其形成在靠近所述多晶硅栅极的源极下方，所述体区连接到所述JFET抽头； 其中，所述体区在被所述多晶硅栅极偏压时形成MOSFET的沟道，所述沟道用于在所述源极和所述衬底之间传导电流； 其中，所述体区具有低浓度的所述第二掺杂类型，其中所述低浓度比所述高浓度至少低一个数量级；以及 栅极氧化物，其将所述多晶硅栅极与所述源极、所述体区和所述衬底隔离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人香港应用科技研究院有限公司，其通讯地址为：中国香港新界沙田香港科学园科技大道东二号光电子中心5楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。