绍兴中芯集成电路制造股份有限公司蒋兴教获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种SOI晶圆及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188703B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210526183.5，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种SOI晶圆及制造方法是由蒋兴教;梁昕;郭晨浩;宋飞;张涛设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SOI晶圆及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SOI晶圆及制造方法，该制造方法包括：提供第一硅晶圆和第二硅晶圆；分别在第一硅晶圆的键合面和第二硅晶圆的键合面形成键合面氧化层；分别对第一硅晶圆的键合面及第二硅晶圆的键合面进行等离子体注入；将等离子体注入后的第一硅晶圆的键合面与第二硅晶圆的键合面键合；键合后，对第一硅晶圆的非键合面进行第一次减薄；第一次减薄后，在第二硅晶圆的非键合面形成介质层。本发明在SOI晶圆的第二硅晶圆背面沉积一层介质层，可降低SOI晶圆的应力和弯曲度，并且该介质层是在第一硅晶圆与第二硅晶圆键合后且对第一硅晶圆第一次减薄后形成，有利于减少第一硅晶圆与第二硅晶圆键合面的键合空洞。
本发明授权一种SOI晶圆及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于，包括： 提供第一硅晶圆和第二硅晶圆； 分别在所述第一硅晶圆的键合面和所述第二硅晶圆的键合面形成键合面氧化层；在所述第一硅晶圆的非键合面和所述第二硅晶圆的非键合面各自形成非键合面氧化层； 分别对所述第一硅晶圆的键合面及所述第二硅晶圆的键合面进行等离子体注入； 将所述等离子体注入后的所述第一硅晶圆的键合面与所述第二硅晶圆的键合面键合； 所述键合后，对所述第一硅晶圆的非键合面进行第一次减薄； 所述第一次减薄后，在所述第二硅晶圆的非键合面形成介质层，所述介质层形成于所述第二硅晶圆的非键合面氧化层表面； 所述介质层形成后，对所述第一硅晶圆的非键合面进行第二次减薄。
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