湖南三安半导体有限责任公司房育涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利半导体外延结构和半导体外延结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000161B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210601247.3，技术领域涉及：H10D62/815；该发明授权半导体外延结构和半导体外延结构的制备方法是由房育涛;陈帅;叶念慈;张洁设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体外延结构和半导体外延结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种半导体外延结构和半导体外延结构的制备方法，涉及半导体外延技术领域，该半导体外延结构包括衬底、成核层和缓冲层，本发明通过在衬底上形成成核层，然后再在成核层上形成缓冲层，其中，成核层包括多层周期性掺杂且重复排列的半导体周期叠层，从而使得成核层形成了具有不同掺杂类型的掺杂超晶格结构，本发明实施例采用不同掺杂类型的掺杂超晶格结构提高成核层的晶体质量，本发明实施例利用形成的掺杂超晶格可以减小外延层穿透位错而获得高晶体质量的外延薄膜，并且能够简单高效地获得高质量成核层，减少外延层穿透位错，从而获得高晶体质量的外延薄膜。
本发明授权半导体外延结构和半导体外延结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底表面的成核层； 以及位于所述成核层远离所述衬底一侧的缓冲层； 其中，所述成核层包括多层依次堆叠的半导体周期叠层，至少一层所述半导体周期叠层为掺杂结构，且多层所述半导体周期叠层形成具有不同掺杂类型的掺杂超晶格结构; 每层所述半导体周期叠层包括依次堆叠的第一薄膜层和第二薄膜层，所述第一薄膜层掺杂有第一掺杂原子，所述第二薄膜层掺杂有第二掺杂原子，其中，所述第一掺杂原子和所述第二掺杂原子为不同种类的掺杂原子； 所述衬底为硅Si、碳化硅SiC、蓝宝石中的一种；所述成核层为掺杂的AlN层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南三安半导体有限责任公司，其通讯地址为：410000 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号