湖南三安半导体有限责任公司房育涛获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利半导体外延结构、半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883405B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210604325.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体外延结构、半导体器件及其制备方法是由房育涛;夏德洋;叶念慈;张洁设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体外延结构、半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种半导体外延结构、半导体器件及其制备方法，涉及半导体外延技术领域，该半导体外延结构包括硅衬底、富铝硅层和AlN成核层，通过在硅衬底上形成富铝硅层，再在富铝硅层上形成成核层，其中，所述富铝硅层能够抑制所述硅衬底的表面形成无定型SiN。相较于现有技术，本发明实施例通过设置富铝硅层，可以避免形成AlN成核层的过程中硅衬底直接与NH3反应而在硅衬底的表面形成无定型SiN，避免了无定型SiN影响外延生长，保证了外延生长质量。
本发明授权半导体外延结构、半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括： 硅衬底； 设置在所述硅衬底上的富铝硅层； 设置在所述富铝硅层上的成核层； 其中，所述富铝硅层包括重掺杂铝的硅层，所述重掺杂铝的硅层位于硅衬底的表面； 其中，所述成核层为III族氮化物，所述富铝硅层中铝原子的掺杂浓度大于1E19cm3且小于1E22cm3，且所述富铝硅层的厚度大于等于200nm并小于500nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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