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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种基于CsPbBr₃纳米片光电探测器的测试装置及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115031834B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210614821.9，技术领域涉及：G01J1/42；该发明授权一种基于CsPbBr₃纳米片光电探测器的测试装置及其测试方法是由董辉;吴回港;郑学军;黄开鸿;黄乐设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于CsPbBr₃纳米片光电探测器的测试装置及其测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于CsPbBr3纳米片光电探测器的测试装置及其测试方法，测试装置包括CsPbBr3纳米片光电探测器、力电控制平台和系统测试仪；CsPbBr3纳米片薄膜与ITO形成肖特基势垒，将光生电子‑空穴对分开，从而构成具有高光电效应的光电探测器；CsPbBr3纳米片探测器设置于力电控制平台上并与系统测试仪电连接；系统测试仪与计算机电连接；检测光源设置于CsPbBr3纳米片光电探测器的正上方。本发明基于半导体物理和压电光电子学理论，建立一个跨越原子‑微观‑宏观尺度的多尺度物理模型定量描述CsPbBr3纳米片光电探测器的光力电耦合性能。

本发明授权一种基于CsPbBr₃纳米片光电探测器的测试装置及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种基于肖特基势垒型CsPbBr3纳米片光电探测器的光力电耦合测试装置的测试方法，其特征在于包括以下步骤： Ａ1:将CsPbBr3纳米片光电探测器置于力电控制平台上，其电极与系统测试仪相连； Ａ2:力电控制平台对CsPbBr3纳米片光电探测器施加力和电压，并用检测光源照射CsPbBr3纳米片光电探测器； Ａ3:通过连接光力电耦合测试装置的计算机读取施加到器件上的应变s11，以及施加的电压U，并代入公式（1），得到光电探测器在力和光的条件下的电流密度： （1） 上述公式中：A为理查森-杜斯曼常数，τn为载流子寿命,η为量子效率，V为物质体积,P为激光输出功率,h为普朗克常数,υ为光子频率，Φns0为无应变下肖特基势垒,q为单个电子电荷,s11为施加的应变,wpiezo为压电电荷宽度,εs为相对介电常数，e11是压电系数；T是温度，k是玻尔兹曼常数；n为电子浓度； 所述光力电耦合测试装置包括力电控制平台、系统测试仪、检测光源和激光聚焦镜头；力电控制平台上设置CsPbBr3纳米片光电探测器，检测光源设置于CsPbBr3纳米片光电探测器的正上方；检测光源和激光聚焦镜头连接，CsPbBr3纳米片光电探测器与系统测试仪电连接，系统测试仪与计算机电连接。

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