昕原半导体(杭州)有限公司杨芸获国家专利权
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龙图腾网获悉昕原半导体(杭州)有限公司申请的专利阻变式存储器的下电极及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394913B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210629581.X，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权阻变式存储器的下电极及其制造方法是由杨芸;仇圣棻;陈亮;潘国华设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本阻变式存储器的下电极及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种阻变式存储器的下电极及其制造方法，包括如下步骤：对带有下电极通孔的介电层进行平坦化处理，使填充在下电极通孔内部的导电材料层全部或部分裸露出所述下电极通孔的上端；对裸露在下电极通孔上端的导电材料层进行还原化处理，在还原化处理后的导电材料层的表面选择性生长下电极层；在下电极层的上部生长阻变层及上电极叠层后，对得到的存储器基础结构依次进行光刻和刻蚀；对刻蚀后的存储器基础结构进行金属间介电质填充处理，并对介电质填充处理后的存储器基础结构进行表面平坦化处理，得到阻变式存储器的下电极结构。利用本发明能够解决现有工艺复杂冗长、器件底部易发生侧掏、以及短路、残渣、缺陷态等问题。
本发明授权阻变式存储器的下电极及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种阻变式存储器的下电极制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 对带有下电极通孔的介电层进行平坦化处理，使填充在所述下电极通孔内部的导电材料层全部或部分裸露出所述下电极通孔的上端； 对裸露在所述下电极通孔上端的导电材料层进行还原化处理，在还原化处理后的导电材料层的表面选择性生长下电极层，以清理所述导电材料层的表面杂质及自然氧化物，实现所述下电极层与所述导电材料层的自对准，并控制所述下电极层的薄膜的厚度及表面的粗糙度阈值； 在所述下电极层的上部生长阻变层及上电极叠层后，对得到的存储器基础结构依次进行光刻和刻蚀；其中，所述阻变层包裹覆盖所述下电极层； 对刻蚀后的存储器基础结构进行金属间介电质填充处理，并对介电质填充处理后的存储器基础结构进行表面平坦化处理，得到阻变式存储器的下电极结构。
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