中国科学院微电子研究所李纯获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116956B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210634591.2，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由李纯;刘昊炎;李永亮;殷华湘;罗军;王文武设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于降低具有异质沟道的CFET器件的集成难度。所述半导体器件的制造方法包括：在基底上形成鳍状结构。沿着基底的高度方向，鳍状结构依次包括第一鳍部、器件隔离层和第二鳍部。第一鳍部包括至少一层第一半导体层。器件隔离层与第一半导体层的材质相同。第二鳍部包括至少一层第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层的材质不同。至少在第一鳍部沿宽度方向的两侧形成保护层。至少对暴露在保护层之外的器件隔离层进行绝缘处理，获得隔离材料层。去除保护层。基于第一鳍部包括的第一半导体层制造第一晶体管包括的第一沟道、以及基于第二鳍部包括的第二半导体层制造第二晶体管包括的第二沟道。
本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在基底上形成鳍状结构；沿着所述基底的高度方向，所述鳍状结构依次包括第一鳍部、器件隔离层和第二鳍部；所述第一鳍部包括至少一层第一半导体层；所述器件隔离层与所述第一半导体层的材质相同；所述第二鳍部包括至少一层第二半导体层；所述第一半导体层和所述第二半导体层的材质不同； 至少在所述第一鳍部沿宽度方向的两侧形成保护层；所述保护层的顶部高度介于所述器件隔离层的顶部高度与底部高度之间； 至少对暴露在所述保护层之外的所述器件隔离层进行绝缘处理，获得隔离材料层； 去除所述保护层； 基于所述第一鳍部包括的第一半导体层制造第一晶体管包括的第一沟道、以及基于所述第二鳍部包括的所述第二半导体层制造第二晶体管包括的第二沟道；所述第一晶体管和所述第二晶体管的导电类型相反，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一者为鳍式场效应晶体管或环栅晶体管。
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