上海新硅聚合半导体有限公司欧欣获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新硅聚合半导体有限公司申请的专利一种压电薄膜结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064639B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210639479.8，技术领域涉及：H10N30/093；该发明授权一种压电薄膜结构及其制备方法是由欧欣;陈阳;黄凯设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压电薄膜结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种压电薄膜结构及其制备方法。该压电薄膜结构包括依次层叠的衬底结构、压电薄膜层和钝化层，该钝化层包括层叠的多个子钝化层；该多个子钝化层中的每个子钝化层的材料元素包含至少部分该压电薄膜层的材料元素；该多个子钝化层中的子钝化层越靠近该压电薄膜层，该子钝化层的材料组分中的第一类元素含量越小，第二类元素的含量越大；该第一类元素为非金属元素；该第二类元素为金属元素。该钝化层能够有效避免了压电薄膜在清洗溶剂中，清洗溶剂对其的腐蚀，有效保证了压电薄膜结构的压电性能和后续键合的稳定性。
本发明授权一种压电薄膜结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压电薄膜结构，其特征在于，包括： 衬底结构（1）； 压电薄膜层（2），所述压电薄膜层（2）位于所述衬底结构（1）的顶部； 钝化层（3，所述钝化层（3位于所述压电薄膜的顶部；所述钝化层（3包括层叠的多个子钝化层；所述多个子钝化层中的每个子钝化层的材料元素包含至少部分所述压电薄膜层（2）的材料元素；所述多个子钝化层中的子钝化层越靠近所述压电薄膜层（2），所述子钝化层的材料组分中的第一类元素含量越小，第二类元素的含量越大；所述第一类元素为非金属元素；所述第二类元素为金属元素； 所述压电薄膜层（2）的材料包括铌酸锂或者钽酸锂； 所述钝化层（3的材料包括氧化铌或者氧化钽； 所述第一类元素包括氧； 所述第二类元素包括锂。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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