电子科技大学王洋获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210698424.4，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权一种基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器是由王洋;刘青霞;肖建花;太惠玲;袁柳;蒋亚东设计研发完成，并于2022-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器在说明书摘要公布了：本发明属于有机半导体技术领域，具体提供一种基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器，用以解决现有倍增型有机光电探测器响应速度低、工作电压高、工艺复杂的问题。本发明包括：从下往上依次层叠设置的基底、透明导电阴极、阴极修饰层、光敏层、阳极修饰层与阳极层；其中，光敏层经过高温热退火处理，使其上表面形成颗粒状缺陷形貌作为界面陷阱，使光生载流子在界面处受陷堆积，从而诱导界面能带弯曲和外电路电荷的隧穿注入，产生光电倍增效应，进而显著提高器件的外量子效率、提升探测器的探测性能；并且，该缺陷态形貌可通过热退火温度、退火时间、光敏层的厚度进行精细调控；另外，本发明制备工艺简单、成本低，易于实现工业化生产。
本发明授权一种基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器，包括：从下往上依次层叠设置的基底、透明导电阴极、阴极修饰层、光敏层、阳极修饰层与阳极层，其特征在于，所述光敏层经过高温热退火处理，使其上表面形成颗粒状缺陷形貌作为界面陷阱，高温热退火处理的退火温度为250℃、时间为10min～60min。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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