北海惠科半导体科技有限公司曲凯获国家专利权
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龙图腾网获悉北海惠科半导体科技有限公司申请的专利多晶硅场板及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210747974.0，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权多晶硅场板及其制备方法和应用是由曲凯;史仁先;鲁艳春设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本多晶硅场板及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种多晶硅场板及其制备方法和应用。多晶硅场板包括衬底，在衬底上设有连接区和P+环区；P+环区包括多个隔离岛，每一隔离岛呈框型并结合在衬底表面上，多个隔离岛间隔分布，并依次围合连接区；相邻两隔离岛之间形成框型P+沟道，在P+沟道内填充有复合多晶硅层；复合多晶硅层包括掺杂多晶硅层和与掺杂多晶硅层层叠结合的无掺杂多晶硅层，且掺杂多晶硅层结合在P+沟道的底部，在无掺杂多晶硅层的背离掺杂多晶硅层的表面还含有导电改性层。多晶硅场板电场效应所含的复合多晶硅层导电性能高，具有良好的导通性。含有本申请多晶硅场板的半导体功率器件的可靠性等性能得到了提高。
本发明授权多晶硅场板及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅场板，包括衬底，其特征在于：所述衬底上设有连接区和P+环区；其中，所述P+环区包括多个隔离岛，每一隔离岛呈框型并结合在所述衬底表面上，多个所述隔离岛间隔分布，并依次围合所述连接区； 相邻两所述隔离岛之间形成框型P+沟道，在所述P+沟道内填充有复合多晶硅层；所述复合多晶硅层包括掺杂多晶硅层和与所述掺杂多晶硅层层叠结合的无掺杂多晶硅层，且所述掺杂多晶硅层结合在所述P+沟道的底部，在所述无掺杂多晶硅层的背离所述掺杂多晶硅层的表面还含有导电改性层； 所述导电改性层的表面方块电阻为11±3Ω口； 所述导电改性层是由POCl3在无掺杂多晶硅层表面沉积后进行退火形成。
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