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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利基于离子注入技术模拟硅表面氧化层生长的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115186462B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210762601.0，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于离子注入技术模拟硅表面氧化层生长的方法是由刘中利;李兴冀;杨剑群;徐晓东;崔秀海设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于离子注入技术模拟硅表面氧化层生长的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于离子注入技术模拟硅表面氧化层生长的方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括如下步骤：步骤S1：构建单晶硅的模型，在模型中的单晶硅表面设置真空层，采用反应力场分子动力学方法使单晶硅处于初始平衡状态；步骤S2：加热单晶硅至反应温度，间隔预设时间，重复在随机位置将O原子向单晶硅表面发射，至单晶硅表面发生氧化反应；待氧化反应结束并达到平衡状态后，对模型退火，得到氧化层；步骤S3：获取并评估氧化层的组织形态参数，若组织形态参数未满足预设要求，重复并优化步骤S1和步骤S2直到组织形态参数达到预设要求。本发明通过获取的工艺参数指导实际离子注入技术，实现低成本高效率的指导作用。

本发明授权基于离子注入技术模拟硅表面氧化层生长的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于离子注入技术模拟硅表面氧化层生长的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1：构建单晶硅的模型，在所述模型中的所述单晶硅表面设置真空层，采用反应力场分子动力学方法使所述单晶硅处于初始平衡状态； 步骤S2：加热所述单晶硅至反应温度，间隔预设时间，重复在随机位置将O原子向所述单晶硅表面发射，至所述单晶硅表面发生氧化反应；待所述氧化反应结束并达到平衡状态后，对所述模型退火，得到氧化层；所述发射速度的范围为1500~3000ms，发射方向为沿逆[100]晶向的方向； 步骤S3：获取并评估所述氧化层的组织形态参数，若所述组织形态参数未满足预设要求，重复并优化步骤S1和步骤S2直到所述组织形态参数达到所述预设要求; 其中，步骤S1中，所述单晶硅的所述初始平衡状态包括：对所述单晶硅原子位置进行优化后，弛豫到常压状态，使所述单晶硅原子的受力为零的状态； 步骤S3中，所述优化步骤S1和S2包括：优化所述步骤S2的所述反应温度、所述预设时间、所述发射方式和所述退火方式；所述氧化层的组织形态参数至少包括：密度、硅氧比、缺陷类型及缺陷浓度。

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