中国科学院半导体研究所张振宁获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210792442.9，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权半导体激光器是由张振宁;黄永箴;杨跃德;肖金龙设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体激光器，包括：N面电极；N型衬底，设置在N面电极上；回音壁微腔，设置在N型衬底上，回音壁微腔的横断面为八边形，八边形包括多个第一弧形边和至少一个第二弧形边，第一弧形边和第二弧形边的弧弦相等，相邻的第一弧形边和第二弧形边的弧长不相等，使得在回音壁微腔内形成两组独立的全反射的四边形的光路。通过调整回音壁微腔的弧形边的弧度可以进一步调整这两组模式的波长间隔与激射强度，在边模抑制比大于30dB的前提下实现半导体激光器的直接调制带宽的大幅增加。
本发明授权半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，包括： N面电极； N型衬底，设置在所述N面电极上； 回音壁微腔，设置在所述N型衬底上，所述回音壁微腔的横断面为八边形，所述八边形包括多个第一弧形边和至少一个第二弧形边，所述第一弧形边和第二弧形边的弧弦相等，相邻的第一弧形边和第二弧形边的弧长不相等，使得在所述回音壁微腔内形成两组独立的全反射的四边形的光路； 其中，所述回音壁微腔中部设置有一通孔，所述通孔用于降低所述回音壁微腔对光的限制能力以提高所述半导体激光器的输出功率。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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