浙江大学张庆海获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利芯片制造中晶圆注入离子环节的高精度电通量计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115203628B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210853666.6，技术领域涉及：G06F17/11；该发明授权芯片制造中晶圆注入离子环节的高精度电通量计算方法是由张庆海设计研发完成，并于2022-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片制造中晶圆注入离子环节的高精度电通量计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种针对芯片制造过程中晶圆注入离子环节的高精度电通量计算方法，其利用流映射、向后脉线和固定曲面构造生成曲面，进而采用拉格朗日通量算法LFC对三维数值进行求解，得到粒子穿过固定曲面的电通量。对于三维数值的LFC算法，算法的时间区间可以任意的长，并且算法中避免了求曲线交点；且LFC算法实现简单，且具有高精度、高效率以及稳定性，还达到了二、四、六阶收敛率。
本发明授权芯片制造中晶圆注入离子环节的高精度电通量计算方法在权利要求书中公布了：1.一种针对芯片制造过程中晶圆注入离子环节的高精度电通量计算方法，包括如下步骤： 步骤1首先确定三维空间中的流速场初始时刻粒子的浓度函数以及固定曲面其中为三维空间中任一点的位置信息，表示时间，表示初始时刻； 步骤2根据流速场构造一个流映射φ； 步骤3根据流映射φ构造向后脉线其表示时间段内通过位置M的所有粒子的集合； 步骤4利用流映射φ、向后脉线和固定曲面构造生成曲面 步骤5利用浓度函数和生成曲面计算时间段内粒子穿过固定曲面的电通量I。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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