长鑫存储技术有限公司邵光速获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642129B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210939226.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其制作方法、存储器是由邵光速;肖德元;邱云松;蒋懿;苏星松设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其制作方法、存储器，所述半导体结构的制作方法包括：在衬底中形成沿第一方向延伸的若干平行的第一沟槽以及填充第一沟槽的第一隔离结构；第一方向平行于衬底表面；在衬底和第一隔离结构中形成沿第二方向延伸的若干平行的第二沟槽，第一沟槽与第二沟槽将衬底切割形成多个有源柱；第二方向与第一方向垂直；第二沟槽的深度小于第一沟槽的深度；在第二沟槽的底部形成在第二方向上与第一隔离结构交替排列的第二隔离结构；第二隔离结构的顶面低于第二沟槽中第一隔离结构处的底面；在第二隔离结构上方形成若干平行的位线结构；位线结构在第一方向上贯穿多个有源柱；在位线结构上方形成若干平行的字线结构。
本发明授权半导体结构及其制作方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括： 提供衬底； 在所述衬底中形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一沟槽以及填充所述第一沟槽的第一隔离结构；所述第一方向平行于所述衬底表面； 在所述衬底和所述第一隔离结构中形成沿第二方向延伸的若干相互平行的第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽将所述衬底切割形成多个有源柱；所述第二方向平行于所述衬底表面且与所述第一方向垂直；所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度； 在所述第二沟槽的底部形成在所述第二方向上与所述第一隔离结构交替排列的第二隔离结构；所述第二隔离结构的顶面低于所述第二沟槽中位于所述第一隔离结构处的底面； 在所述第二隔离结构上方形成沿所述第一方向延伸的若干相互平行的位线结构；所述位线结构在所述第一方向上贯穿多个所述有源柱； 在所述位线结构上方形成沿所述第二方向延伸的若干相互平行的字线结构。
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