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龙图腾网获悉中核四0四有限公司申请的专利一种远程等离子体源发生装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346852B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210968057.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种远程等离子体源发生装置是由付天佐;钟轶强;孟树文;李天福;邹晓禹;周利华;王悦;王江设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种远程等离子体源发生装置在说明书摘要公布了：本发明涉及等离子体处理技术领域，且公开了一种远程等离子体源发生装置，包括连接法兰，连接法兰用于与薄膜沉积腔体连接。该远程等离子体源发生装置，通过外部抽真空装置对薄膜沉积腔体进行抽真空，避免该等离子体源发生装置内部存留其余气体而造成等离子体发生污染，再通过进气组件精准控制流入直管段内的气源，并通过放电组件对气体进行电感耦合放电式或者电容耦合放电式，从而使得气源发生等离子体启辉并与薄膜沉积腔体内的半导体或者集成电路基体表面发生薄膜沉积，同时通过弯管段对输入直管段内的气体进行过渡，避免直管段内的等离子体与金属连接件直接轰击而造成等离子体发生污染，达到简单方便多级防污染及精准控制薄膜沉积效果。

本发明授权一种远程等离子体源发生装置在权利要求书中公布了：1.一种远程等离子体源发生装置，包括连接法兰1，连接法兰1用于与薄膜沉积腔体连接，其特征在于：还包括直管段2，连接法兰1的进气端连通有直管段2，直管段2的外壁设置有用于激发直管段2内部气体发生等离子体启辉的放电组件3，直管段2远离连接法兰1的一端设置有弯管段4，直管段2与弯管段4为一体制件，弯管段4的进气端设置有金属转接件5，金属转接件5的进气端设置有进气组件6，进气组件6用于控制流入弯管段4的气流量，薄膜沉积腔体的排气端与外部抽真空装置连接； 放电组件3包括第一壳体31、线圈32和第一接线端子33，第一壳体31设置于直管段2的外壁，直管段2的外壁且位于壳体31的内侧缠绕有线圈32，壳体31上设置有与线圈32电连接的第一接线端子33，第一接线端子33用于对线圈32通入交变电流并激发直管段2内部气体发生等离子体启辉； 所述的一种远程等离子体源发生装置的使用方法，包括如下步骤： S1、将待加工的半导体或者集成电路放入薄膜沉积腔体内，并通过外部抽真空装置对薄膜沉积腔体及直管段2和弯管段4内进行抽真空； S2、打开进气组件6上的阀门63并配合流量计62控制四通管61的三个进气端分别流入金属转接件5内的氩气、氮气和氨气的气流量，同时通过接通放电组件3上的电源，观察直管段2内的气体是否发生等离子体启辉现象，若未发生，则通过调整放电组件3上第一接线端子33的输入电流值或第二接线端子36上的输出电压值，直至直管段2内的气体正常启辉； S3、待半导体或者集成电路表面薄膜沉积完成，断开放电组件3上的电源并关闭进气组件6上的阀门63，取出半导体或者集成电路，待下一工件循环加工。

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