錼创显示科技股份有限公司罗子元获国家专利权
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龙图腾网获悉錼创显示科技股份有限公司申请的专利微型发光二极管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347101B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211021422.8，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权微型发光二极管结构是由罗子元;周芸瑄;王鸿轩;蔡百扬;陈飞宏;林子旸设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本微型发光二极管结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种微型发光二极管结构，包括磊晶结构、第一绝缘层以及第二绝缘层。磊晶结构包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层。第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层的第一部分构成平台。平台具有顶面以及第一侧表面。第二型半导体层的第二部分相对于平台凹陷而形成平台面。第二型半导体层的第二部分具有第二侧表面。第一绝缘层从平台的顶面沿着第一侧表面覆盖至平台面，且暴露出第二侧表面。第二绝缘层直接覆盖第二侧表面，其中第一绝缘层与第二绝缘层的厚度比值介于10至50之间。
本发明授权微型发光二极管结构在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管结构，其特征在于，包括： 磊晶结构，包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层，所述发光层位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间，所述第一型半导体层、所述发光层以及所述第二型半导体层的第一部分构成平台，所述平台具有顶面以及第一侧表面，而所述第二型半导体层的第二部分相对于所述平台凹陷而形成平台面，且所述第二部分具有第二侧表面，所述平台面位于所述第一侧表面与所述第二侧表面之间； 第一绝缘层，从所述平台的所述顶面沿着所述第一侧表面覆盖至所述平台面，且暴露出所述第二侧表面，所述第一绝缘层直接覆盖所述平台面，且覆盖所述第一侧表面的所述第一绝缘层与所述第二侧表面形成连续表面；以及 第二绝缘层，直接覆盖所述第二侧表面，其中所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的厚度比值介于10至50之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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