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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种半导体激光器温度控制方法、系统、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115268258B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211042975.1，技术领域涉及：G05B11/42；该发明授权一种半导体激光器温度控制方法、系统、设备及介质是由姜海明;张康;凌雨;谢康设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器温度控制方法、系统、设备及介质在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提供了一种半导体激光器温度控制方法、系统、设备及介质，其中方法包括：通过获取当前时刻采集的半导体激光器的实时温度值，计算实时温度值与预设温度值的差值，得到第一温差值，并获取第二偏差值和第一历史时刻对应的第二温差值，并计算第一温差值和第二温差值的差值，得到第一偏差值，并根据第一温差值、第一偏差值、第二偏差值确定实时温度值对应的温控策略，输出与温控策略对应的温度控制量，从而对半导体激光器的温度进行更加精细化的控制，使半导体激光器的温度更加稳定地维持在预设温度值左右，改善了现有技术的温控效果，提升了半导体激光器的温度稳定性，更加适用于频繁切换功率的半导体激光器。

本发明授权一种半导体激光器温度控制方法、系统、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器温度控制方法，其特征在于，包括： 获取当前时刻采集的半导体激光器的实时温度值； 计算所述实时温度值与预设温度值的差值，得到第一温差值； 获取第二偏差值和第一历史时刻对应的第二温差值；所述第二偏差值为所述第二温差值与第二历史时刻对应的温差值之间的差值； 计算所述第一温差值和所述第二温差值的差值，得到第一偏差值； 根据所述第一温差值、所述第一偏差值、所述第二偏差值确定所述实时温度值对应的温控策略； 输出与所述温控策略对应的温度控制量； 所述根据所述第一温差值、所述第一偏差值、所述第二偏差值确定所述实时温度值对应的温控策略，包括： 判断所述第一温差值的绝对值是否大于预设的第一温差阈值； 若是，则判断所述第一温差值是否大于0； 当所述第一温差值大于0，启动最大制冷功率调节策略； 当所述第一温差值小于或等于0时，启动最大制热功率调节策略； 所述判断所述第一温差值的绝对值是否大于预设的第一温差阈值，包括： 若否，将所述第一温差值和所述第一偏差值的乘积作为第一偏差乘积； 当所述第一偏差乘积大于0或者所述第一偏差值等于0时，判断所述第一温差值的绝对值是否大于预设的第二温差阈值，若是，则启动第一温控策略；否则，启动第二温控策略； 将所述第一温差值和所述第二偏差值的乘积作为第二偏差乘积； 当所述第一偏差乘积小于0且所述第二偏差乘积大于0，或者，当所述第一温差值等于0时，保持当前输出的温度控制量不变； 当所述第一偏差乘积小于0且所述第二偏差乘积小于0时，判断所述第一温差值的绝对值是否大于所述第二温差阈值，若是，则启动第三温控策略；否则启动第四温控策略； 所述根据所述第一温差值、所述第一偏差值、所述第二偏差值确定所述实时温度值对应的温控策略，包括： 判断所述第一温差值的绝对值是否小于预设的第三温差阈值，若是，则启动第二温控策略； 所述第一温控策略的公式为： Uk=k1{kp[ek-ek-1]+ki*ek+kd[ek-2ek-1+ek-2]}； 其中，Uk为某时刻的输出的温度控制量，kp为比例系数，ki为积分系数，kd为微分系数，k1为放大系数，ek）为第一温差值；ek-1为第二温差值，ek-2为第二历史时刻对应的温差值； 第二温控策略的公式为： Uk=kp[ek-ek-1]+ki*ek+kd[ek-2ek-1+ek-2]； 第三温控策略的公式为： Uk=k2*kp[ek-ek-1]+k3*ki*ek+kd[ek-2ek-1+ek-2]； 其中，k2为调节比例输出的第一系数，k3为调节积分输出的系数； 第四温控策略的公式为： Uk=k4{k5*kp[ek-ek-1]+ki*ek+kd[ek-2ek-1+ek-2]}； 其中，k4为幅度调整系数，k5调节比例控制的第二系数。

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