上海精测半导体技术有限公司张晓雷获国家专利权
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龙图腾网获悉上海精测半导体技术有限公司申请的专利一种获取理论光谱的方法、形貌参数测量方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115540779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211060933.0，技术领域涉及：G01B11/24；该发明授权一种获取理论光谱的方法、形貌参数测量方法及装置是由张晓雷;张厚道;梁洪涛;施耀明设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种获取理论光谱的方法、形貌参数测量方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种获取理论光谱的方法、形貌参数测量方法及装置。周期性结构包括若干周期单元，该方法包括：沿周期性结构底部到顶部的方向Z，将所述形貌模型划分出多个片层；基于每个所述片层在所述方向Z的介质分布，获取相应片层介电系数沿周期方向的连续函数；然后计算每个所述片层的介电系数的傅里叶系数；最后利用严格耦合波分析算法，计算得到周期性结构的理论光谱。本发明避免了对模型划分的片层侧面轮廓的近似，使得RCWA计算中形貌模型的处理更加贴合样品实际形貌模型，得到了每个片层的介电系数的连续函数，提高了介电系数的傅里叶系数计算精度，提高了理论光谱计算精度和计算效率。
本发明授权一种获取理论光谱的方法、形貌参数测量方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种获取理论光谱的方法，用于周期性结构理论光谱的获取，所述周期性结构包括若干周期单元，其特征在于，包括： 获取所述周期单元的形貌模型，所述形貌模型具有多个形貌参数； 沿周期性结构底部到顶部的方向Z，将所述形貌模型划分出多个片层； 基于每个所述片层在所述方向Z的介质分布，获取相应片层介电系数沿周期方向的连续函数； 基于所述连续函数，分别计算每个所述片层的介电系数的傅里叶系数； 根据所有片层的介电系数的傅里叶系数，利用严格耦合波分析算法，计算得到所述周期性结构的理论光谱； 所述片层介电系数沿周期方向的连续函数满足： ， 其中，为任意片层j在沿所述周期方向上任意位置处的介电系数，为片层j在位置处的介质材料n的介电系数，为片层j在位置处的基于介质材料厚度获取的介质材料n的权重，片层j在位置处包括种介质材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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