华南师范大学霍能杰获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种基于二氧化钛/氧化物/二维易氧化薄层的忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211052882.7，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于二氧化钛/氧化物/二维易氧化薄层的忆阻器及其制备方法是由霍能杰;潘志东;李京波设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二氧化钛/氧化物/二维易氧化薄层的忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于二氧化钛氧化锡二维易氧化薄层的忆阻器及其制备方法，其包括，选用机械剥离法将二维易氧化薄层转移至基底上；在二维易氧化薄层的两端沉积第一电极和第二电极；在空气中加热基底，二维易氧化薄层的表面形成具有稳定的阻变行为的氧化物薄层；在氧化物薄层上沉积金属Ti薄层；在空气中加热基底，金属Ti薄层氧化形成TiO2薄层；在TiO2薄层上沉积第三电极。该忆阻器结合了氧化物薄层表现出的稳定的阻变行为特点，结合利用二氧化钛与氧化物薄层中氧空位浓度的不同的特点，忆阻行为表现出具有空间电场方向依赖性，呈现出了低功耗、高电阻比、高稳定性和易制备的优点。
本发明授权一种基于二氧化钛/氧化物/二维易氧化薄层的忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二氧化钛氧化物二维易氧化薄层的忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 选用机械剥离法，将SnSe2或BP二维易氧化薄层转移至基底上； 在所述二维易氧化薄层的两端沉积第一电极和第二电极； 在空气中加热所述基底，所述二维易氧化薄层的表面形成具有稳定的阻变行为的SnO2或POx氧化物薄层； 在所述氧化物薄层上沉积金属Ti薄层； 在空气中加热所述基底，所述金属Ti薄层氧化形成TiO2薄层； 在所述TiO2薄层上沉积第三电极。
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