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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利具有集成续流二极管的横向增强型氧化镓场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312516B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211051682.X，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权具有集成续流二极管的横向增强型氧化镓场效应晶体管是由罗小蓉;魏雨夕;彭小松;魏杰;杨可萌;郝琳瑶;蒋卓林设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有集成续流二极管的横向增强型氧化镓场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成续流二极管的横向增强型氧化镓场效应晶体管。栅源极电压为零时，栅源极金属与氧化镓半导体之间功函数差耗尽导电沟道，实现常关的增强型器件。在正向导通时，栅极所加电压大于阈值电压，晶体管开启；源极电压为零，源极金属与氧化镓半导体之间功函数差耗尽导电沟道，集成二极管关断。在反向续流时，所加源极电压使耗尽区变窄，集成二极管导通，具有低的开启电压；当源极电压进一步增加，沟道侧壁形成高浓度电子积累层，实现低的导通压降。相比垂直分立场效应晶体管需要与续流二极管封装成芯片或模块，本发明的横向功率器件易于集成，场效应晶体管和集成二极管工艺兼容，有利于广泛应用于功率集成电路中，减少寄生参数和模块体积。

本发明授权具有集成续流二极管的横向增强型氧化镓场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.具有集成续流二极管的横向增强型氧化镓场效应晶体管，包括沿器件垂直方向自下而上依次层叠设置的氧化镓衬底1、氧化镓非故意掺杂区2和N型氧化镓漂移区3；沿器件横向方向，器件两端分别为栅源区和漏区，所述栅源区位于N型氧化镓漂移区3上表面，漏区包括位于N型氧化镓漂移区3上部的高掺杂氧化镓漏区4和位于高掺杂氧化镓漏区4上表面的漏极金属5； 其特征在于，所述栅源区中部为与N型氧化镓漂移区3上表面相接触的鳍状氧化镓漂移区6，所述鳍状氧化镓漂移区6的上表面具有高掺杂氧化镓源区7；所述鳍状氧化镓漂移区6的侧壁覆盖有第一绝缘介质8，且所述第一绝缘介质8沿氧化镓漂移区3上表面向两侧延伸，其中一侧向远离高掺杂氧化镓漏区4的方向延伸至器件边缘，另一侧向靠近高掺杂氧化镓漏区4的方向延伸且不与高掺杂氧化镓漏区4相接触；沿器件纵向方向，栅源区分为晶体管区和二极管区，所述晶体管区和所述二极管区不同的是，位于晶体管区的第一绝缘介质8表面覆盖有栅极金属9；所述栅极金属9表面覆盖有第二绝缘介质10，且第二绝缘介质10延伸至与晶体管区的高掺杂氧化镓源区7的侧壁接触；所述第二绝缘介质10、高掺杂氧化镓源区7和二极管区的第一绝缘介质8的表面覆盖有源极金属11。

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